همدستی صنایع نیمه هادی تایوان (TSMC) توانسته در حوزه ی تحقیق و توسعه به دستاوردی انقلابی برسد. درحالی که خراش های رده بالای امروزی به طور عمده بر لیتوگرافی (نود پردازشی) هفت نانومتری تکیه گاه هستند، TSMC فرایند تحقیق و توسعه ی اکید برای لیتوگرافی دو نانومتری را آغاز کرده و به نتایج مثبت متعددی تیمار دست فاحش کرده است. گزارش های مربوط به دستاورد جدید TSMC اولین جنین درون رسانه های تایوانی منتشر شدند و بعد گواه پوشش آن ها توسط رسانه های معتر جهانی بودیم.
TSMC امروزه به عنوان تأمین کننده ی خراش برای بسیاری از شرکت های کوچک و بزرگ در سراسر گیتی شناخته می شود و مشتریان مهمی دارد. آن نعوظ که گزارش های اخیر می گویند، TSMC قصد دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را کلید بزند؛ یک سال سپس (۲۰۲۴)، تماشاچی آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود.
درحال حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، تبار شروع لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراشه های متعددی از آن استفاده خواهد شد؛ A14 Bionic، ابتدایی تراشه ی پنج نانومتری دنیا که درآیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی های خانواده ی آیفون ۱۲ از آن استعمال می شود، برپایه ی لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC مصنوع شده. درون واژه عامیانه، کلمه ی نود درون عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با نام فین (Fin) اشاره می نرم. پردازنده ای مدرن شامل میلیاردها فین است. این تعداد زیاد فین ها درکنار یکدیگر باعث شده اند امکان انجام پردازش های بسیار پیچیده مهیا شود. همچنین فین های یادشده مقدار طولانی شده را کاهش می دهند و باعث بهبود قدرت پردازشی تراشه می شوند.
برای اشاره بوسیله ترانزیستورهایی که داخل تراشه های ساخته شده توسط TSMC و بازوی تراشه ساز سامسونگ با معروفیت Samsung Foundry مورداستفاده قرار می گیرند از عبارت فین فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) مصرف می شود. بااین حال، لیتوگرافی دو نانومتری TSMC قرار است دارای طراحی متفاوتی برای ترانزیستور باشد و عبارت فین فت را پیاده شدن بگذارد. از طراحی متاخر ترانزیستورهای موردبحث با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می شود. MBCFET برپایه ی طراحی های پیشین فین فت ساخته شده و بهبودهایی محسوس به خود دیده است.
مدل سازی فین تدبیر متشکل از سه المان کلیدی است که دربرگیرنده «منبع»، «مروارید» و «ناو» می شوند؛ الکترون ها از عین به جانب ناو به جریان درمی آیند و شهریه ی دروازه، تنظیم کردن جریان برق است. در طراحی های قبل از فین فت، منبع و ناو تنها در محور افقی تولید می شدند و بوسیله بیانی بهتر، این دو المان بی آرامی راستا با خراش قرار می گرفتند. TSMC در راه فین فت، استراتژی خود را تغییر داد. منبع و ناو تو فین فت به بعد سومین مجهز شدند و این یعنی بوسیله حالت عمودی غم درآمدند. نتیجه ی راهکار فین فت این بود که الکترون های بیشتری می توانستند از دروازه عبور کنند؛ به علاوه مقیاس نشست الکترون ها کاهش یافت و ولتاژی کاری تیمار کاهش پیدا کرد.
این نخستین باری محو که یک انبازی تراشه ساز سراغ استعمال از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه ها می رود. در آوریل سال گذشته ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود که سامسونگ در بیانیه ای اعلام کرد منظور دارد بخاطر تراشه های سه نانومتری از گونه تولید MBCFET استعمال کند. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه ی تکامل یافته ی راهکار GAAFET بود که این شریک در سال ۲۰۱۷ در شریک شدن مشترک با IBM طراحی کرده وجود.
راهکار MBCFET سامسونگ برضد GAAFET برای منبع و ناودان از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده می کند، این درحالی است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) مصرف می کرد. استعمال از نانوصفحه باعث افزایش سطح رسانای ترانزیستور می شود و مهم تر از آن، تولیدکننده ی تراشه را قادر می سازد بدون افزایش سطح جانبی، از مروارید های بیشتری تو ترانزیستور استفاده بطی ء.
اخبار جدیدی بوسیله تری داخل بین رسانه ها دست به دست می شوند که هنوز بوسیله تأیید رسمی TSMC نرسیده اند؛ این اخبار تقاضا می کنند TSMC گرایش دارد قیمت بازده لیتوگرافی دو نانومتری اش بوسیله مغز سرسام آور ۹۰ درصد داخل سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ لب به خود بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، TSMC خواهد توانست مطابق دستور کار های تعیین شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید انبوه را آغاز یواش.
سامسونگ بوسیله خلال معرفی کردن ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه گانه نانومتری بتواند میزان مصرف انرژی تراش را نسبت بوسیله خراش های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزایش قدرت تراشه ی سه نانومتری به استاندارد ۳۰ درصد نسبت به خراش ی هفت نانومتری خبر داد. بیشتر بخوانید:پردازنده AZ1 Neural Edge آمازون با همکاری مدیاتک معرفی کردن شدکرش فراخ کارت گرافیک RTX 3080 خلال اجرای بازی؛ موضوع چیست؟سرویس ورزش ابری آمازون از پردازنده های گرافیکی انویدیا T4 استفاده می کندنسل دوم واحد پردازش کندرو AMD از حافظه DDR5 و گرافیک Navi 2 پشتیبانی می کندنوویا برای تولید تراشه های مالک آرم، ۲۴۰ میلیون دلار تنخواه جذب کرد
TSMC امروزه به عنوان تأمین کننده ی خراش برای بسیاری از شرکت های کوچک و بزرگ در سراسر گیتی شناخته می شود و مشتریان مهمی دارد. آن نعوظ که گزارش های اخیر می گویند، TSMC قصد دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را کلید بزند؛ یک سال سپس (۲۰۲۴)، تماشاچی آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود.
درحال حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، تبار شروع لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراشه های متعددی از آن استفاده خواهد شد؛ A14 Bionic، ابتدایی تراشه ی پنج نانومتری دنیا که درآیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی های خانواده ی آیفون ۱۲ از آن استعمال می شود، برپایه ی لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC مصنوع شده. درون واژه عامیانه، کلمه ی نود درون عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با نام فین (Fin) اشاره می نرم. پردازنده ای مدرن شامل میلیاردها فین است. این تعداد زیاد فین ها درکنار یکدیگر باعث شده اند امکان انجام پردازش های بسیار پیچیده مهیا شود. همچنین فین های یادشده مقدار طولانی شده را کاهش می دهند و باعث بهبود قدرت پردازشی تراشه می شوند.
برای اشاره بوسیله ترانزیستورهایی که داخل تراشه های ساخته شده توسط TSMC و بازوی تراشه ساز سامسونگ با معروفیت Samsung Foundry مورداستفاده قرار می گیرند از عبارت فین فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) مصرف می شود. بااین حال، لیتوگرافی دو نانومتری TSMC قرار است دارای طراحی متفاوتی برای ترانزیستور باشد و عبارت فین فت را پیاده شدن بگذارد. از طراحی متاخر ترانزیستورهای موردبحث با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می شود. MBCFET برپایه ی طراحی های پیشین فین فت ساخته شده و بهبودهایی محسوس به خود دیده است.
مدل سازی فین تدبیر متشکل از سه المان کلیدی است که دربرگیرنده «منبع»، «مروارید» و «ناو» می شوند؛ الکترون ها از عین به جانب ناو به جریان درمی آیند و شهریه ی دروازه، تنظیم کردن جریان برق است. در طراحی های قبل از فین فت، منبع و ناو تنها در محور افقی تولید می شدند و بوسیله بیانی بهتر، این دو المان بی آرامی راستا با خراش قرار می گرفتند. TSMC در راه فین فت، استراتژی خود را تغییر داد. منبع و ناو تو فین فت به بعد سومین مجهز شدند و این یعنی بوسیله حالت عمودی غم درآمدند. نتیجه ی راهکار فین فت این بود که الکترون های بیشتری می توانستند از دروازه عبور کنند؛ به علاوه مقیاس نشست الکترون ها کاهش یافت و ولتاژی کاری تیمار کاهش پیدا کرد.
این نخستین باری محو که یک انبازی تراشه ساز سراغ استعمال از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه ها می رود. در آوریل سال گذشته ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود که سامسونگ در بیانیه ای اعلام کرد منظور دارد بخاطر تراشه های سه نانومتری از گونه تولید MBCFET استعمال کند. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه ی تکامل یافته ی راهکار GAAFET بود که این شریک در سال ۲۰۱۷ در شریک شدن مشترک با IBM طراحی کرده وجود.
راهکار MBCFET سامسونگ برضد GAAFET برای منبع و ناودان از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده می کند، این درحالی است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) مصرف می کرد. استعمال از نانوصفحه باعث افزایش سطح رسانای ترانزیستور می شود و مهم تر از آن، تولیدکننده ی تراشه را قادر می سازد بدون افزایش سطح جانبی، از مروارید های بیشتری تو ترانزیستور استفاده بطی ء.
اخبار جدیدی بوسیله تری داخل بین رسانه ها دست به دست می شوند که هنوز بوسیله تأیید رسمی TSMC نرسیده اند؛ این اخبار تقاضا می کنند TSMC گرایش دارد قیمت بازده لیتوگرافی دو نانومتری اش بوسیله مغز سرسام آور ۹۰ درصد داخل سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ لب به خود بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، TSMC خواهد توانست مطابق دستور کار های تعیین شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید انبوه را آغاز یواش.
سامسونگ بوسیله خلال معرفی کردن ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه گانه نانومتری بتواند میزان مصرف انرژی تراش را نسبت بوسیله خراش های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزایش قدرت تراشه ی سه نانومتری به استاندارد ۳۰ درصد نسبت به خراش ی هفت نانومتری خبر داد. بیشتر بخوانید:پردازنده AZ1 Neural Edge آمازون با همکاری مدیاتک معرفی کردن شدکرش فراخ کارت گرافیک RTX 3080 خلال اجرای بازی؛ موضوع چیست؟سرویس ورزش ابری آمازون از پردازنده های گرافیکی انویدیا T4 استفاده می کندنسل دوم واحد پردازش کندرو AMD از حافظه DDR5 و گرافیک Navi 2 پشتیبانی می کندنوویا برای تولید تراشه های مالک آرم، ۲۴۰ میلیون دلار تنخواه جذب کرد
- ۹۹/۰۷/۰۷